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Technologie hochintegrierter Schaltungen / Halbleiter-Elektronik Bd.19 - Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrich
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Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrich:

Technologie hochintegrierter Schaltungen / Halbleiter-Elektronik Bd.19 - neues Buch

2013, ISBN: 3642970591

Im vorliegenden Buch wird die Technologie von hochintegrierten Schaltungen behandelt. Es werden zunächst sehr ausführlich und praxisnah die verschiedenen technologischen Verfahren und Ein… Mehr…

Nr. 103772851. Versandkosten:, 2-5 Werktage, DE. (EUR 0.00)
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Technologie hochintegrierter Schaltungen - neues Buch

ISBN: 9783642970597

Im vorliegenden Buch wird die Technologie von hochintegrierten Schaltungen behandelt. Es werden zunächst sehr ausführlich und praxisnah die verschiedenen technologischen Verfahren und Ein… Mehr…

Nr. 978-3-642-97059-7. Versandkosten:Worldwide free shipping, , DE. (EUR 0.00)
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*Technologie hochintegrierter Schaltungen* - Auflage 1988 / pdf eBook für 36.99 € / Aus dem Bereich: eBooks, Sachthemen & Ratgeber, Technik Medien > Bücher nein eBook als pdf eBooks > Sac… Mehr…

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Technologie hochintegrierter Schaltungen
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

3642970591

Detailangaben zum Buch - Technologie hochintegrierter Schaltungen


EAN (ISBN-13): 9783642970597
ISBN (ISBN-10): 3642970591
Erscheinungsjahr: 2013
Herausgeber: Springer-Verlag GmbH

Buch in der Datenbank seit 2017-01-26T20:01:00+01:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-05-12T13:04:32+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 3642970591

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-97059-1, 978-3-642-97059-7
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hermann friedrich, mader, widmann hans, hermann dietrich
Titel des Buches: schaltungen, technologie, hochintegrierter

Daten vom Verlag:

Autor/in: Dietrich Widmann; Hermann Mader; Hans Friedrich
Titel: Halbleiter-Elektronik; Technologie hochintegrierter Schaltungen
Verlag: Springer; Springer Berlin
320 Seiten
Erscheinungsjahr: 2013-03-13
Berlin; Heidelberg; DE
Sprache: Deutsch
36,99 € (DE)
36,99 € (AT)
50,00 CHF (CH)
Available
320 S.

EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; CMOS; Mikrometer; Schaltung; Strukturgröße; Werkstoff; B; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Optical Materials; Engineering; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; BC

Bezeichnungen und Symbole.- 1 Einleitung.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßchemisches Ätzen.- 5.2 Plasmaunterstütztes Ätzen.- 5.3 Plasmaunterstützte Ätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Scheibenreinigung.- 7.3 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Der Gesamtprozeß — Architektur und Integration.- 8.1 MOS-Technologie.- 8.2 CMOS-Technologie.- 8.3 Bipolartechnologie.- 8.4 BICMOS-Technologie.- 8.5 Literatur zu Kapitel 8.- 9 Strukturverkleinerung in der MOS-Technik.- 9.1 Die ähnliche Verkleinerung.- 9.2 Strukturverkleinerung mit konstanten Spannungspegeln, Feinstruktureffekte.- 9.3 Literatur zu Kapitel 9.
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