Silizium-Halbleitertechnologie (Teubner Studienbücher Technik) - Taschenbuch

EAN (ISBN-13): 9783519101499
ISBN (ISBN-10): 3519101491
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 1999
Herausgeber: Teubner Verlag

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ISBN/EAN: 3519101491

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-519-10149-1, 978-3-519-10149-9
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hilleringmann
Titel des Buches: silizium halbleitertechnologie

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Daten vom Verlag:

Autor/in: Ulrich Hilleringmann
Titel: Teubner Studienbücher Technik; Silizium-Halbleitertechnologie
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag; Vieweg & Teubner
311 Seiten
Erscheinungsjahr: 1999-09-09
Wiesbaden; DE
Sprache: Deutsch
49,95 € (DE)
51,35 € (AT)
62,56 CHF (CH)
Not available, publisher indicates OP

BC; Book; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; Transistor; Schaltung; Handel; Halbleitertechnologie; Bauelement; Technologie; Physik; Verfahren; elektronische Bauelemente; Halbleiter; Elektronik; Informatik; Elektrotechnik; Montage; Silizium; Engineering; B; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Electrical Engineering; Engineering, general; Elektrotechnik; Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein; BC; EA

Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.