Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik, 23, Band 23) - gebunden oder broschiert
2005, ISBN: 9783540234371
Springer, Gebundene Ausgabe, Auflage: 2005, 447 Seiten, Publiziert: 2005-03-17T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.: XVIII, 428 S. 0.83 kg, Hardware & Technik, Computer & Intern… Mehr…
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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik (23)) (German Edition) - gebunden oder broschiert
2005, ISBN: 3540234373
[EAN: 9783540234371], Gebraucht, wie neu, [PU: Springer], Like New, Books
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Springer. hardcover. New. 6x0x9. Brand New Book in Publishers original Sealing, Springer, 6
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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik (23)) (German Edition) - gebunden oder broschiert2005, ISBN: 3540234373
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2005
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
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Detailangaben zum Buch - Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente (Halbleiter-Elektronik, 23, Band 23)
EAN (ISBN-13): 9783540234371
ISBN (ISBN-10): 3540234373
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2005
Herausgeber: Springer
428 Seiten
Gewicht: 0,830 kg
Sprache: ger/Deutsch
Buch in der Datenbank seit 2007-05-29T01:35:01+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-04-14T09:56:12+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 3540234373
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-540-23437-3, 978-3-540-23437-1
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: schulze, schulz jörg
Titel des Buches: halbleiter bauelemente, silizium, elektronik, konzepte siliziumbasierter mos bauelemente
Daten vom Verlag:
Autor/in: Jörg Schulze
Titel: Halbleiter-Elektronik; Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Verlag: Springer; Springer Berlin
429 Seiten
Erscheinungsjahr: 2005-03-17
Berlin; Heidelberg; DE
Sprache: Deutsch
119,99 € (DE)
123,35 € (AT)
132,50 CHF (CH)
Available
XVIII, 429 S.
BB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik; Verstehen; Ingenieurwissenschaften; Bauelement; CMOS; Einzelelektronentransistor; Feldeffekttransistor; Frequenz; Hochfrequenz; Leistung; Leistungs-MOSFET; Leistungselektronik; Leistungsfeldeffekttransistor; MOSFET; Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor; ROM; Silizium; Transistor; Electrical and Electronic Engineering; Laser; Computer Engineering and Networks; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Optical Materials; Computer Hardware; Laserphysik; Computerhardware; Elektronik; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; EA
Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.Vollständige Zusammenfassung aller Vertikal- bzw. Quasivertikalkonzepte der MOS-Bauelemente Umfangreiche, thematisch geordnete Bibliographie der Originalbeiträge Includes supplementary material: sn.pub/extras
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