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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Hardback) - Vinod Kumar Khanna
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Vinod Kumar Khanna:

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Hardback) - gebrauchtes Buch

ISBN: 9780471238454

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The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design - gebunden oder broschiert

ISBN: 9780471238454

Hardback, [PU: John Wiley & Sons Inc], A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. * All-in-one resource* Explains the fundamentals of MOS and b… Mehr…

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design Vinod Kumar Khanna Author - neues Buch

ISBN: 9780471238454

A comprehensive and state-of-the-art coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, devi… Mehr…

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Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt Theory and Design - neues Buch

ISBN: 0471238457

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design - Khanna, Vinod Kumar
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Khanna, Vinod Kumar:
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design - neues Buch

ISBN: 9780471238454

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design Hardcover New Books, Wiley-IEEE Press

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Details zum Buch
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design Vinod Kumar Khanna Author

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. * All-in-one resource * Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. * Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Detailangaben zum Buch - Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design Vinod Kumar Khanna Author


EAN (ISBN-13): 9780471238454
ISBN (ISBN-10): 0471238457
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2003
Herausgeber: Wiley Core >2 >T
648 Seiten
Gewicht: 1,030 kg
Sprache: eng/Englisch

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ISBN/EAN: 0471238457

ISBN - alternative Schreibweisen:
0-471-23845-7, 978-0-471-23845-4
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: vinod kumar, khanna
Titel des Buches: transistor, design theory, gate


Daten vom Verlag:

Autor/in: Vinod Kumar Khanna
Titel: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Verlag: John Wiley & Sons
648 Seiten
Erscheinungsjahr: 2003-09-05
Gewicht: 1,021 kg
Sprache: Englisch
205,00 € (DE)
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162mm x 239mm x 35mm

BB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Components & Devices; Electrical & Electronics Engineering; Elektronisches Bauelement; Elektrotechnik u. Elektronik; Komponenten u. Bauelemente; Leistungselektronik; Transistor; Komponenten u. Bauelemente

Preface. Power Device Evolution and the Advert of IGBT. IGBT Fundamentals and Status Review. MOS Components of IGBT. Bipolar Components of IGBT. Physics and Modeling of IGBT. Latch-Up of Parasitic Thyristor in IGBT. Design Considerations of IGBT Unit Cell. IGBT Process Design and Fabrication Technology. Power IGBT Modules. Novel IGBT Design Concepts, Structural Innovations, and Emerging Technologies. IGBT Circuit Applications. Index.

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