ISBN: 9783834813350
Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Si… Mehr…
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2014, ISBN: 9783834813350
Springer Vieweg, Taschenbuch, Auflage: 6., korr. und verb. Aufl. 2014, 276 Seiten, Publiziert: 2014-09-23T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.: black & white illustrations, 0.98… Mehr…
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
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Detailangaben zum Buch - Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
EAN (ISBN-13): 9783834813350
ISBN (ISBN-10): 3834813354
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2014
Herausgeber: Springer Vieweg
Buch in der Datenbank seit 2014-10-10T10:54:14+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-01-07T23:32:05+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783834813350
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8348-1335-4, 978-3-8348-1335-0
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hill, hille, hiller, hilleringmann ulrich, vieweg teubner verlag
Titel des Buches: halb, halbleiter, silizium halbleitertechnologie
Daten vom Verlag:
Autor/in: Ulrich Hilleringmann
Titel: Silizium-Halbleitertechnologie - Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Verlag: Springer Vieweg; Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
263 Seiten
Erscheinungsjahr: 2014-09-23
Wiesbaden; DE
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Gewicht: 0,470 kg
Sprache: Deutsch
44,99 € (DE)
46,26 € (AT)
50,00 CHF (CH)
Not available, publisher indicates OP
BC; Book; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; Elektrotechnik, Elektronik; A; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Engineering; Circuits and Systems; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); BC; BC; EA; EA
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer DepositionGrundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
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