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Selberherr, S.:

Analysis and Simulation of Semiconductor Devices - Taschenbuch

2011, ISBN: 9783709187548

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: Springer, Berlin Springer, Wien], AUSFÜHRLICHERE BESCHREIBUNG: The invention of semiconductor devices is a fairly recent one, considering classical tim… Mehr…

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The invention of semiconductor devices is a fairly recent one, considering classical time scales in human life. The bipolar transistor was announced in 1947, and the MOS transistor, in a … Mehr…

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Details zum Buch
Analysis and Simulation of Semiconductor Devices

Analysis And Simulation Of Semiconductor Devices by S. Selberherr, 9783709187548, Springer, 2011, Paperback

Detailangaben zum Buch - Analysis and Simulation of Semiconductor Devices


EAN (ISBN-13): 9783709187548
ISBN (ISBN-10): 3709187540
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2013
Herausgeber: Springer, Berlin Springer, Wien

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Detailseite zuletzt geändert am 2023-03-22T14:31:00+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783709187548

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-7091-8754-0, 978-3-7091-8754-8
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: selberherr, selber
Titel des Buches: analysis and simulation semiconductor devices


Daten vom Verlag:

Autor/in: S. Selberherr
Titel: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices
Verlag: Springer; Springer Wien
296 Seiten
Erscheinungsjahr: 2011-12-30
Vienna
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
160,49 € (DE)
164,99 € (AT)
177,00 CHF (CH)
POD
XIV, 296 p.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Elektronische Geräte und Materialien; Verstehen; Analysis; Halbleiterbauelement; Numerische Mathematik; Partielle Differentialgleichung; semiconductor; simulation; Semiconductors; Optical Materials; Software Engineering; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Software Engineering; BB; EA

1. Introduction.- 1.1 The Goal of Modeling.- 1.2 The History of Numerical Device Modeling.- 1.3 References.- 2. Some Fundamental Properties.- 2.1 Poisson’s Equation.- 2.2 Continuity Equations.- 2.3 Carrier Transport Equations.- 2.4 Carrier Concentrations.- 2.5 Heat Flow Equation.- 2.6 The Basic Semiconductor Equations.- 2.7 References.- 3. Proeess Modeling.- 3.1 Ion Implantation.- 3.2 Diffusion.- 3.3 Oxidation.- 3.4 References.- 4. The Physical Parameters.- 4.1 Carrier Mobility Modeling.- 4.2 Carrier Generation-Recombination Modeling.- 4.3 Thermal Conductivity Modeling.- 4.4 Thermal Generation Modeling.- 4.5 References.- 5. Analytical Investigations About the Basic Semiconductor Equations.- 5.1 Domain and Boundary Conditions.- 5.2 Dependent Variables.- 5.3 The Existence of Solutions.- 5.4 Uniqueness or Non-Uniqueness of Solutions.- 5.5 Sealing.- 5.6 The Singular Perturbation Approach.- 5.7 Referenees.- 6. The Diseretization of the Basic Semiconductor Equations.- 6.1 Finite Differences.- 6.2 Finite Boxes.- 6.3 Finite Elements.- 6.4 The Transient Problem.- 6.5 Designing a Mesh.- 6.6 Referenees.- 7. The Solution of Systems of Nonlinear Algebraic Equations.- 7.1 Newton’s Method and Extensions.- 7.2 Iterative Methods.- 7.3 Referenees.- 8. The Solution of Sparse Systems of Linear Equations.- 8.1 Direct Methods.- 8.2 Ordering Methods.- 8.3 Relaxation Methods.- 8.4 Alternating Direction Methods.- 8.5 Strongly Implicit Methods.- 8.6 Convergence Acceleration of Iterative Methods.- 8.7 Referenees.- 9. A Glimpse on Results.- 9.1 Breakdown Phenomena in MOSFET’s.- 9.2 The Rate Effect in Thyristors.- 9.3 Referenees.- Author Index.- Table Index.

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