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Emerging Non-Volatile Memories - Herausgegeben:Hong, Seungbum; Auciello, Orlando; Wouters, Dirk
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Herausgegeben:Hong, Seungbum; Auciello, Orlando; Wouters, Dirk:

Emerging Non-Volatile Memories - gebunden oder broschiert

2014, ISBN: 9781489975362

[ED: Hardcover], [PU: Springer / Springer US / Springer, Berlin], This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future tre… Mehr…

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2014, ISBN: 9781489975362

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Emerging Non-Volatile Memories - gebrauchtes Buch

2014

ISBN: 9781489975362

[PU: Springer US], Buchschnitt verkürzt - gepflegter, sauberer Zustand - Ausgabejahr 2014 24894915/12, DE, [SC: 0.00], gebraucht; sehr gut, gewerbliches Angebot, 2014, Banküberweisung, Kr… Mehr…

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Details zum Buch
Emerging Non-Volatile Memories

This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory. This book also: Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others. Provides an overview of non-volatile memory fundamentals. Broadens readers' understanding of future trends in non-volatile memories.

Detailangaben zum Buch - Emerging Non-Volatile Memories


EAN (ISBN-13): 9781489975362
ISBN (ISBN-10): 1489975365
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2014
Herausgeber: Hong, Seungbum, Auciello, Orlando, Wouters, Dirk, Springer

Buch in der Datenbank seit 2014-10-10T00:01:52+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-02-23T16:42:28+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9781489975362

ISBN - alternative Schreibweisen:
1-4899-7536-5, 978-1-4899-7536-2
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: wouters, orlan, auci, hong
Titel des Buches: memories


Daten vom Verlag:

Autor/in: Seungbum Hong; Orlando Auciello; Dirk Wouters
Titel: Emerging Non-Volatile Memories
Verlag: Springer; Springer US
273 Seiten
Erscheinungsjahr: 2014-11-19
New York; NY; US
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XII, 273 p. 156 illus., 112 illus. in color.

BB; Hardcover, Softcover / Technik/Maschinenbau, Fertigungstechnik; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Verstehen; FMRAM; FeRAM; Ferroelectric memories; Information storage; MFRAM; Magnetic memories; Multi-ferroic memories; NVM; Nonvolatile memories; PCM; Polymer memories; Probe memories; RRAM; Optical Materials; Condensed Matter Physics; Spectroscopy; Electrical and Electronic Engineering; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie; Elektrotechnik; EA; BC

This book also:

Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others.

Provides an overview of non-volatile memory fundamentals.

Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.

This book Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory.

Part I: Ferroic Memories.- Review of the Science and Technology for Low and High-density Non-volatile Ferroelectric Memories.- Hybrid CMOS/magnetic memories (MRAM) and logic circuits.- Emerging Multi-Ferroic Memories.- Part II: Resistance and Phase Change Memories.- Phase-Change Materials for Data Storage Applications.- Emerging Oxide Resistance Change Memories.- Oxide based memristive nanodevices.- Part III: Probe Memories.- Ferroelectric Probe Storage Devices.

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Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others.

Provides an overview of non-volatile memory fundamentals.

Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.

This book Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory.
Provides an overview of non-volatile memory fundamentals Covers key memory technologies Written by experts from both academia and industry

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