ISBN: 9783835102453
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Silizium-Halbleitertechnologie : Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik. 5., erg. und erw. Aufl.; - gebrauchtes Buch
2008, ISBN: 9783835102453
5., erg. und erw. Aufl.; XIII, 338 S. : Ill., graph. Darst.; Broschiert Der Erhaltungszustand des hier angebotenen Werks ist trotz seiner Bibliotheksnutzung sauber. Es befindet sich neben… Mehr…
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2008, ISBN: 9783835102453
Vieweg+Teubner Verlag, Taschenbuch, Auflage: 5, 356 Seiten, Publiziert: 2008-05-27T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Verkaufsrang: 1612096, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, … Mehr…
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2008, ISBN: 9783835102453
Vieweg+Teubner Verlag, Taschenbuch, Auflage: 5, 356 Seiten, Publiziert: 2008-05-27T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Verkaufsrang: 1473, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Nat… Mehr…
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Hilleringmann, Ulrich:
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Silizium-Halbleitertechnologie : Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik. 5., erg. und erw. Aufl.; - gebrauchtes Buch
2008
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Autor: | |
Titel: | |
ISBN-Nummer: |
Detailangaben zum Buch - Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
EAN (ISBN-13): 9783835102453
ISBN (ISBN-10): 3835102451
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2008
Herausgeber: Vieweg+Teubner Verlag
338 Seiten
Gewicht: 0,461 kg
Sprache: ger/Deutsch
Buch in der Datenbank seit 2008-06-03T09:51:32+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-07-30T18:54:25+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 3835102451
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8351-0245-1, 978-3-8351-0245-3
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hiller, ulrich, hilleringmann, hille, hill
Titel des Buches: halbleiter, silizium halbleitertechnologie, grundlagen, teubner, aufgaben und lösungen, halb halb
Daten vom Verlag:
Autor/in: Ulrich Hilleringmann
Titel: Silizium-Halbleitertechnologie - Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag; Vieweg & Teubner
338 Seiten
Erscheinungsjahr: 2008-05-27
Wiesbaden; DE
Gewicht: 0,461 kg
Sprache: Deutsch
29,95 € (DE)
30,79 € (AT)
37,54 CHF (CH)
Not available, publisher indicates OP
BC; Book; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Bipolar-Technologie; 10 nm; Atomic; apparativ; Bipol; Ätzschritt; ätzen; Berufsakademie; Atomic Layer Deposition; Ätztechnologien; anwendungsnahes; apparative; bipolares; Ausstattung; Ätztechnik; bipolarer; bipolar; Ätzung; anwendungsnaher; Ätztechnologie; B; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Engineering; Circuits and Systems; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); BC; BC; EA; BC
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer DepositionUmfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken eines Autors mit Potential; Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der 5. Auflage wurde "Atomic Layer Deposition" hinzugefügt, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde ergänzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusätzlich eingearbeitet.
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