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Dietrich Widmann/ Hermann Mader/ Hans Friedrich:
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
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Titel: | |
ISBN-Nummer: |
Detailangaben zum Buch - Technologie hochintegrierter Schaltungen
EAN (ISBN-13): 9783642614156
Erscheinungsjahr: 2000
Herausgeber: Springer-Verlag GmbH
Buch in der Datenbank seit 2017-01-26T20:01:00+01:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-02-27T15:07:29+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 3642614159
ISBN - alternative Schreibweisen:
978-3-642-61415-6
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hermann friedrich, mader, widmann hans, hermann dietrich
Titel des Buches: schaltungen, technologie, hochintegrierter, schaltung
Daten vom Verlag:
Autor/in: Dietrich Widmann; Hermann Mader; Hans Friedrich
Titel: Halbleiter-Elektronik; Technologie hochintegrierter Schaltungen
Verlag: Springer; Springer Berlin
366 Seiten
Erscheinungsjahr: 2013-03-11
Berlin; Heidelberg; DE
Sprache: Deutsch
89,99 € (DE)
89,99 € (AT)
101,50 CHF (CH)
Available
XX, 366 S.
EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik; Verstehen; Bauelement; Dotierung; Elektrik; Elektronen; Höchstfrequenz; Kondensator; Kristallstruktur; Leitfähigkeit; Prozessoptimierung; RAM; Schaltung; Silizium; Transistor; Wafer; integrierter Schaltkreis; B; Electrical and Electronic Engineering; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Optical Materials; Engineering; Elektronik; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; BC
1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.2 Trockenätzen.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.4 Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.Kein anderes deutschsprachiges Buch beschreibt so kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zum 256-Mbit-Speicher. Die rasante Entwicklung der Prozeßtechnologie der letzten Jahre und Prognosen über das Jahr 2000 hinaus finden sich in dieser Neuauflage wieder. Der weltweite Aufschwung der Mikroelektronik bewirkt riesige Investitionen in die Chipfertigung, in Europa vor allem durch die Firma Siemens. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.
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